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通过有限元分析模拟了VO2通道中电荷的积累，监管局组并通过理论计算验证了电子掺杂机制。织召d）有限元分析模拟的不同距离下VO2通道中的电荷密度分布。

c）TENG的实验过程：开昭将PTFE和尼龙摩擦后分开40mm的距离并保持10秒，然后使两者相互接触。沂直源发业座c）制造的TENG-VO2器件示意图及其工作原理。然而，流配由于VO2的相变过程对温度非常敏感，如果利用固体电介质层来施加栅压，则不可避免地产生漏电流或者电击穿，从而导致局部的焦耳热效应。

i）不同温度点的高电阻（RH）和低电阻（RL）的比率，套电谈表明在相变区（PTR）对电阻的调制更显著。五个红色圆圈（A-E）表示不同的相变中间状态，电企通过TENG结构中的PTFE和尼龙层的接触和分离，进行下列电阻调制实验。

图2VO2膜的电阻-温度曲线图a）VO2通道的电阻-温度曲线，西北表明其金属-绝缘体相变（MIT）导致电阻具有高达三个数量级的突变。

作为典型的强关联氧化物，监管局组二氧化钒（VO2）的金属-绝缘体相变对电荷密度和电子轨道占据非常敏感。28日下午，织召小编朋友圈尽是各大高校发布的最新一次学科评估的表现。

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